仪器科学与技术学科
基本信息
性别：男 || 出生年月：1986年8月 || 政治面貌：群众
现任职称：副研究员
最后学历：博士研究生 || 最后学位： 博士 || 获学位单位：中国科学院大学
联系方式： || 邮箱：zdl_photonics@bistu.edu.cn || 通讯地址：北京海淀区清河小营东路12号
导师信息
硕导/博导：硕导 || 批硕/博导时间：2020.01
所属院系、学科及研究方向
所属学院：威廉体育williamhill
所属系： 智能感知工程系
所属学科：测控技术与仪器
研究方向1：硅基光子集成传感芯片与应用研究
研究方向2：新型半导体量子级联激光器芯片研制与应用研究
研究方向3：新型二类超晶格红外探测器芯片研制与应用研究
参加学术团体
中国电子学会
工作简历
（1）2019年5月至今，威廉希尔WilliamHill官方网站，威廉体育williamhill，副研究员；
（2）2015年7月至2019年4月，中国电子科技集团公司信息科学研究院，工程师；
承担教学任务
研究生课程：《半导体物理与器件》
承担科研项目情况
1、****部，共用技术项目，xxx半导体量子级联激光技术，2022-01至2025-12，400万元，在研，主持；
2、****部，领域基金项目，xxx成像技术，2017-01至2018-12，50万元，已结题，主持；
3、****部，******光电子项目，××××微系统原理探究，2015-09至2017-08，30万元，已结题，主持；
4、国家自然科学基金委员会，面上项目，61377045，硅基Ⅳ族合金材料能带调控机制与双异质结激光器的构建，2014-01至2017-12, 81万元，已结题，参加；
5、国家自然科学基金委员会，面上项目，61177038，硅基Ⅳ族材料红外光子学探测器件的基础研究，2012-01至2015-12，72万元，已结题，参加
主要论文目录
(1) 张东亮，杨凝，刘大川，林霄，王伟平，丁子瑜，胡小燕，汪志强. 硅基异质集成化合物半导体技术新进展,《激光与红外》，2019,(1):9-19.
(2) Zhang Dong Liang，Xiaoyan Hu, Dachuan Liu, Xiao Lin, Weiping Wang et al. Ge1-xSnx on Si avalanche photodiodes for short wave infrared detection, Optical Sensing and Imaging Technology and Application, The International Conference on Sensing and Imaging 2018.BeiJing，2018-5-22至2018-5-24.
(3) Dong Liang, Zhang, Buwen Cheng, Chunlai Xue, Xu Zhang, Hui Cong, Zhi Liu, Qiming Wang. Theoretical study on optical gain characteristics of Ge1-xSnx alloy for short-wave infrared laser.2015 Chinese Phys. B 24 024211.
(4) Dongliang Zhang, Chunlai Xue, Buwen Cheng, Shaojian Su, Zhi Liu, Xu Zhang, Guangze Zhang, Chuanbo Li,and Qiming Wang. High-responsivity Ge1-xSnx short-wave infrared pin photodetectors [J]. Applied Physics Letters, 2013, 102(14): 141111.
(5)Shaojian Su, Dongliang Zhang, Guangze Zhang, Chunlai Xue, Buwen Cheng. Growth of Ge1−xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beamepitaxy,Superlattices and Microstructures, 2013,64:543-551.
(6) Li Chong, Zhang Dongliang, Xue Chunlai, et al. Progress in the Study of Si Based Group IV Optoelectronic Devices(II)-Photodetectors [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2014.
(7) Su Shao Jian, Zhang Dong Liang, Zhang Guang Ze, et al. High quality Ge1-xSnx alloys grown on Ge(001) substrates by molecular beam epitaxy. Acta Phys. Sin, 2013, 62(5): 058101.